深圳市禾利恒電子科技有限公司
Shenzhen Heliheng Electronic Technology Co. Ltd- ST意法半導體
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2022年11月3日，國際半導體產業協會(SEMI)宣布成立全球半導體氣候聯盟(SCC)，目前已有超過60家跨半導體價值鏈創始企業會員共同響應參與，希望透過貫徹聯盟宗旨、加速產業生態圈減少溫室氣體排放的腳步。SEMI是一家服務于全球電子制造和設計供應鏈的行業協會，它由60多家半導體創始成員公司建立。SEMI國際標準部高級總監James Amano告訴《國際電子商情》姊妹平臺EE Times，近年來，可持續發展已成為行業和SEMI 2,500名成員關注的焦點。盡管許多成員都有自己的可持續發展倡議，但SCC關注的是所有成員的聲音，而不局限于個人的聲音。Amano介紹說，SCC項目由SEMI成員公司在2021年聯合啟動，SCC關注非氣候相關的環境、社會和治理(ESG)問題。具體來看，SCC包含三個關鍵點：協作、透明度和目標。SCC將幫助成員企業在共同的方法、技術創新和溝通渠道上進行合作，以持續減少溫室氣體的排放。SCC的透明度以每年公開報告進展的形式來體現，包括了公開企業范圍1(Scope 1)、范圍2(Scope 2)和范圍3(Scope 3)的排放報告數據。Amano指出，他們的目標是制定短期和長期的脫碳目標，到2050年達到凈零碳排放。SCC所有的創始成員都支持《巴黎協定》，并推動實現1.5℃目標導向轉型路徑的相關協定。“我們的根本目的是改善和減少半導體行業的二氧化碳排放。”他補充說。在不同的成員公司看來，SCC目標的實現具備不同的意義。比如，對于晶圓廠而言，提倡SCC可助力其達到節能目標。另外，可持續發展也會影響材料的種類和來源，因為其核心問題還是溫室氣體的排放。SCC將致力于幫助組織的成員解決范圍1排放。范圍1排放為直接排放，即企業直接控制的燃料燃燒活動和物理化學生產過程產生的直接溫室氣體排放；范圍2的排放為間接排放，是企業外購能源產生的溫室氣體排放，包括電力、熱力、蒸汽和冷氣等；范圍3的排放則為價值鏈上下游各項活動的間接排放，覆蓋上下游范圍廣泛的活動類型。Amano認為，范圍3排放是大部分供應鏈最大的挑戰。范圍3排放的來源多種多樣，比如材料的生產和運輸、廢物處理、員工通勤以及公司自有車輛的使用等，它被認為是未來可持續發展的關鍵問題之一。他還表示，SCC將尋求與其他協會、非政府組織以及投資界合作。“我們需要大家全部參與進來，這將推動整個價值鏈向前發展。SCC的協作性質將意味著所有參與者都能從共享的情報和實踐中受益。”美光科技等SCC創始成員公司已經加大了對可持續發展的關注，美光每年都會發布一份關于其ESG優先事項里程碑的進展報告。除了美光之外，應用材料也發布了年度可持續發展報告。Amano透露，專注可持續發展的公司在過去十年里累積的減排已取得進展。施耐德電氣也SCC的創始成員公司，它非常注重整個生態系統的可持續性。最近在加拿大多倫多舉行的基礎設施/結構會議上，施耐德電氣戰略計劃總監Carsten Baumann表示，可持續發展不再是“美好的擁有”，而是將更多轉變為“必須擁有”。由于目前供應鏈面臨的挑戰，長期的可持續發展必須要解決供應商生態系統的復雜性，并注重透明度。施耐德發布了一個季度記分卡(2021-2025施耐德電氣可持續發展影響指數(SSI)計劃)，作為公司可持續發展承諾的一部分，施耐德還列出了從電子材料到水、電的使用，包括整個制造業的使用情況。畢馬威(KMPG)的研究表明，企業正采取實際行動來衡量和減少對環境不利影響。該研究還顯示，可持續的商業實踐越來越被視為企業義務，成為了整個ESG戰略的一部分。責編：Clover.li
在經歷缺芯危機之后，供應鏈設計的重要地位日益凸顯。近日，《國際電子商情》姊妹平臺EPSNews的主編Barbara Jorgensen，針對半導體行業的供應鏈設計做了簡要分析。電子產品設計師和采購部門之間一直存在著一場拉鋸戰。工程師設計產品優先考慮的是能否實現最佳功能，而采購團隊通常更關注組件的價格和交貨日期。因此，工程師設計出采購部門認為無法制造的產品的情況其實并不少見。企業觀念已經改變近年來的半導體短缺危機改變了這一切，零部件的可用性已成為企業考慮的優先事項，這促使更多原始設備制造商(OEM)做新產品的供應鏈設計(Design for Supply Chain，DFSC)。在新產品的開發過程中，工程師和采購團隊不僅要考慮零部件的價格和性能，還要考慮替代器件、雙重采購和供應商壽命等問題。Pure Storage是全閃存存儲硬件和軟件解決方案制造商，對新產品設計的頻繁評審和跨職能團隊合作是該公司DFSC流程的基礎。Pure Storage負責運營的副總裁Mike Fitzgerald表示：“我們的供應鏈設計把靈活性放在優先考量的位置，這主要是為了提高供應鏈的透明度以及設立期望值。”據了解，該公司的DFSC實踐基于52周以上的生命周期。當一個新產品接近發布時，DFSC屬性的里程碑評審周期就會增加。而新產品一旦被開發出來，它的供應鏈就緒審查就會評估該產品的物料清單(Bill of Material，簡稱BOM)。對此，Fitzgerald透露說：“我們首先會查看哪些零部件可以雙重采購，以及這些零部件在BOM清單上所占的百分比。我們有一種紅色、黃色、綠色的零部件采購方式，通過這個方法我們能掌握所有零部件的信息，包括哪些零部件的交期是8周或12周等等。”因技術原因而采用單一采購來源的組件比雙重采購來源的組件具有更高的風險管理水平。OEM通常與單一采購來源的供應商密切合作，后者與其戰略客戶共享技術路線圖和生產計劃表。當然，對于可雙重采購且具有最小交貨時間的部件也要進行評估，其中包括電容、電阻和其他IP&E(Interconnect, Passive, and Electromechanical，互連、無源和機電)設備等。Fitzgerald解釋說：“為了能給設計團隊實時反饋設備狀況信息，我們需要深入研究每一個組件類別，在設備出現問題時幫助設計團隊及時采取適當行動。”例如，BOM清單上某個部件的交付周期為40周，該部件的替代器件交付周期顯示為8周。Fitzgerald表示，雖然公司一直在尋找性能最好的部件，但是對于工業標準件部件而言，40周的交付周期可能會導致項目延誤。通常在這種情況下，Pure Storage會進行4次正式的產品評審，針對每個流程中的團隊都會進行評審。提前做好供應鏈準備供應鏈專家強調，分銷商通常與沒有供應鏈經驗的客戶打交道，新產品開發過程中應盡早做出采購決策。安富利負責銷售支持和供應商開發的副總裁Peggy Carrieres指出：“從采購團隊的角度來看，客戶‘擁有’的設計所需組件的交貨周期可能過長。而那些可以雙重采購的產品，使用無需重新設計電路板的架構，以及高EOL(End-of-life，項目終止/停產)風險的組件，盡早計劃能提高它的制造和器件采購的成功率。”據介紹，Pure Storage有一個專門負責新產品采購的團隊，該團隊負責材料控制直到項目過渡到常態采購團隊。新產品采購團隊直接與公司的合同制造商(CM)合作，在發現故障時采取糾正措施，以確保物料的正常流動。Fitzgerald解釋說：“新產品采購團隊非常注重風險管理。當我們推出一款新產品時，他們就會建立一個將產品轉入穩定狀態的流程。”一般在產品發布6周后，新產品采購團隊就會開發出強大的供應鏈模型，該模型確定了風險的范圍，并采取了相應的措施來降低風險。隨后，常態采購團隊獲得所有權，與工廠一起推動整個項目。Fitzgerald補充道："如果在這個過程中發現了問題，我們也會讓負責合約的商品團隊參與進來，再由常態采購團隊推動整個項目從供應到執行。”給予供應鏈最大的靈活性Fitzgerald把“模塊化設計”稱為“可延遲性設計(DFP)”，它為OEM的供應鏈提供了更高的靈活性，DFP在元器件交貨時間可能長達60周的現在派上了用場。從供應鏈的角度來看，模塊化設計降低了預測的復雜性，并能把庫存數量降至最低。OEM和EMS供應商努力保持最低庫存——不過，維持庫存需要資金成本，隨著時間的推移維持庫存所帶來的價值可能會下降。Fitzgerald說：“我們希望能保證訂單在規定時間內交付。因此，在交付產品前的最后24-48小時內，客戶就能夠進入并配置訂單。”最近，一項針對安富利客戶的調查顯示：EMEA(歐洲、中東、非洲)地區23%的受訪者愿意推遲產品的發布日期，以克服半導體元元器件短缺帶來的問題。在實際的產品設計過程中，25%的公司與多家制造商使用已獲批準的零部件，而23%的公司在設計的早期就對零部件進行了測試和確認。“我認為，經歷了過去幾年的缺芯危機之后，半導體市場出現顛覆，會是一個新常態。”Carrieres總結道。文章翻譯自《國際電子商情》姐妹刊EPSNews，原文鏈接：Why Design for Supply Chain is Gaining Ground責編：Clover.li
國際電子商情21日從中科院官網獲悉，日前微電子所集成電路先導工藝研發中心研發團隊研制出了一種高性能單晶硅溝道3D NOR儲存器。NOR閃存以速度快、可靠性高和使用壽命長等優勢，在人工智能、汽車電子和工業領域中發揮著不可替代的作用。目前普遍使用的平面NOR閃存在50納米以下技術代的尺寸微縮遇到瓶頸，難以進一步提升集成密度、優化器件性能和降低制造成本。為突破上述瓶頸，研究人員提出了多種基于多晶硅溝道的三維NOR（3D NOR）器件，但多晶硅溝道遷移率低、讀取速度慢，影響了NOR器件整體性能。單晶硅溝道3D NOR器件及電性實驗結果：（a）器件TEM截圖（左）及溝道局部放大圖（右），（b）編程特性和（c）擦除特性 圖源： IEEE Electron Device Letters據中科院介紹，微電子所研發團隊使用研發的垂直晶體管新工藝制備出單晶硅溝道3D NOR三維陣列，其上下疊置的晶體管既具單晶硅溝道的高性能優勢，又有三維一體集成的制造成本低的優點，可在獲得同等或優于單晶硅溝道平面NOR閃存器件性能的同時，無需升級光刻機也可大幅提高存儲器集成密度、增加存儲容量。團隊研制的3x3x2三維NOR閃存陣列實現了正常讀寫和擦除，達到了讀電流以及編程、擦除速度與二維NOR閃存器件相當的目標，且新制程與主流硅基工藝兼容，便于應用。 ?責編：Elaine
